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Renesas HZM6.8NB3TR-E
| Artikelnummer: | HZM6.8NB3TR-E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | HZM6.8N - ZENER DIODE |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1888+ | $0.16 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
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Renesas HZM6.8NB3TR-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments HZM6.8NB3TR-E.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 7 V Toleranz ±2% Supplier Device-Gehäuse 3-MPAK Serie - Leistung - max 200 mW Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 30 Ohms Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 3.5 V -
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